河北同光半导体股份有限公司崔景光获国家专利权
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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120421264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933361.X，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法是由崔景光;郑向光;汤欢;张晓云;李青璇设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法。本发明通过采用去离子水浸泡、氨水浸泡、自旋转溢流清洗，结合采用双氧水和氨水对刷头与衬底进行双向清洁的方法，有效解决了刷头本身材质导致的碳化硅衬底颗粒超标或者颗粒聚集的问题，有效降低了不合格产率，且延长刷头的使用寿命至少1倍以上，降低了因更换刷头造成的停机频率，提高了生产效率，实现了刷头高净化高稳定性投入生产，适合工业化生产应用，在碳化硅功率器件、外延片制造等领域具有广阔的应用前景。
本发明授权一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法在权利要求书中公布了：1.一种提升碳化硅清洗刷头性能的保养方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将刷头浸入去离子水中，浸泡第一预设时间后，采用流动的去离子水冲洗刷头，再将刷头浸入氨水溶液a中，浸泡第二预设时间，然后依次采用去离子水冲洗和自旋转溢流清洗，得预处理刷头； S2，依次采用双氧水溶液、第一去离子水、氨水溶液b和第二去离子水，通过所述预处理刷头对洁净碳化硅衬底进行刷洗，干燥，得刷洗碳化硅衬底； S3，检测所述碳化硅衬底表面的颗粒数X1，若X1-X0≤10，则刷头可用；若X1-X0＞10，则进入S4；其中，X0为所述洁净碳化硅衬底表面初始的颗粒数； S4，依次采用双氧水溶液、第一去离子水、氨水溶液b和第二去离子水，通过刷头对所述刷洗碳化硅衬底进行再次刷洗，干燥，得洁净碳化硅衬底。
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