上海新微技术研发中心有限公司冯俊伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种集成电路芯片的无源散热器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926748.2，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种集成电路芯片的无源散热器件是由冯俊伟;许贞设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路芯片的无源散热器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成电路芯片的无源散热器件，包括依次堆叠设置的导热层、热电转换层和PN结阵列层；所述导热层的第一表面用于连接待散热芯片，所述导热层用于将所述待散热芯片的热量传导至所述热电转换层；所述PN结阵列层，包括多个PN结结构，每个所述PN结结构的阳极分别连接至所述热电转换层，每个所述PN结结构的阴极用于接地；所述热电转换层，用于将所述热量转换为电能，并传输至所述PN结阵列层以导通所述PN结结构。本方案为无源器件，不依靠外部供能即可实现高效散热，且能够通过热、电双维度同时进行散热，散热效果优于现有技术；本方案的散热器件还和半导体现有工艺技术相兼容，易于实现高效的芯片级散热。
本发明授权一种集成电路芯片的无源散热器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片的无源散热器件，其特征在于，包括依次堆叠设置的导热层、热电转换层和PN结阵列层； 所述导热层的第一表面用于连接待散热芯片，所述导热层用于将所述待散热芯片的热量传导至所述热电转换层； 所述PN结阵列层，包括多个PN结结构，每个所述PN结结构的阳极分别连接至所述热电转换层，每个所述PN结结构的阴极用于接地； 所述热电转换层，用于将所述热量转换为电能，并传输至所述PN结阵列层以导通所述PN结结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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