上海新微技术研发中心有限公司冯俊伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926903.0，技术领域涉及：H01L23/38；该发明授权一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法是由冯俊伟;许贞设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法，包括：提供衬底，在衬底中形成相邻的P型层和N型层，P型层位于N型层的上方；在衬底中形成多个隔离槽，每个隔离槽贯穿P型层直至N型层中；在衬底的第一表面沉积隔离材料填充隔离槽，并进行平坦化处理直至P型层表面；在P型层表面形成热电转换层；在热电转换层表面形成导热层；在衬底的第二表面形成连接至N型层的接地引脚。本方法可用于制备一种无源散热器件，该器件不依靠外部供能即可实现高效散热，且能够通过热、电双维度同时进行散热，散热效果优于现有技术；本制备同半导体现有工艺技术兼容性高，易于实现高效的芯片级散热。
本发明授权一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片的无源散热器件的制备方法，其特征在于，包括： S1、提供衬底，在所述衬底中形成相邻的P型层和N型层，所述P型层位于所述N型层的上方； S2、在所述衬底中形成多个隔离槽，每个所述隔离槽贯穿所述P型层直至所述N型层中； S3、在所述衬底的第一表面沉积隔离材料填充所述隔离槽，并进行平坦化处理直至所述P型层表面； S4、在所述P型层表面形成热电转换层； S5、在所述热电转换层表面形成导热层； S6、在所述衬底的第二表面形成连接至所述N型层的接地引脚。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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