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龙图腾网获悉上海亿晶微电子科技有限公司申请的专利一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120415600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510912464.8，技术领域涉及：H04B17/20；该发明授权一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路是由梁天翼;杨月设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路，涉及电子技术领域，包括电荷泵电路和充放电逻辑控制电路，电荷泵电路包括快速充电控制电路、第一电流镜电路、电荷泵充放电开关电路、第二电流镜电路和电容充放电电路，其中，快速充电控制电路包括或门和PMOS开关，充放电逻辑控制电路包括启动电路、放电逻辑控制电路和充电逻辑控制电路。本申请通过对快速充电控制电路、电容充放电电路、放电逻辑控制电路和充电逻辑控制电路进行改进，改进后的自动增益控制电路可以通过电流加速和电容加速两种模式实现对流片后的AGC电路进行快速测试，大大降低了测试时间和成本，且降低了测试难度。

本发明授权一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路在权利要求书中公布了：1.一种红外接收芯片的自动增益控制测试电路，其特征在于，包括电荷泵电路和充放电逻辑控制电路，所述电荷泵电路包括快速充电控制电路、第一电流镜电路、电荷泵充放电开关电路、第二电流镜电路和电容充放电电路； 所述快速充电控制电路包括或门和PMOS开关，所述或门的两个输入端分别输入快速充电通道电压和测试电压，所述测试电压为高电平，所述或门的输出端与所述PMOS开关的栅极电连接，所述PMOS开关的源极与所述第一电流镜电路的第一输出端电连接，所述PMOS开关的漏极与所述电容充放电电路和所述电荷泵充放电开关电路电连接，所述第一电流镜电路的第二输出端与所述第二电流镜电路的一端电连接，所述第一电流镜电路的第三输出端与所述电荷泵充放电开关电路电连接，所述电荷泵充放电开关电路与所述第二电流镜电路的另一端电连接； 所述充放电逻辑控制电路包括启动电路、放电逻辑控制电路和充电逻辑控制电路；所述启动电路、所述放电逻辑控制电路和所述充电逻辑控制电路并联连接，所述放电逻辑控制电路与所述电荷泵充放电开关电路和所述电容充放电电路电连接，所述充电逻辑控制电路与所述电荷泵充放电开关电路和所述快速充电控制电路电连接。

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