深圳市埃芯半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利晶圆层析成像的在线几何校正方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120355810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510855144.3，技术领域涉及：G06T11/00；该发明授权晶圆层析成像的在线几何校正方法及装置是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆层析成像的在线几何校正方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆层析成像的在线几何校正方法及装置，其方法包括：在射线源焦点与探测器成像平面中心连线垂直于探测面的情况下，采集待测物目标特征在不同放大倍数下的第一投影图像、第二投影图像和第三投影图像；根据第一投影图像、第二投影图像和第三投影图像各自反映的成像参数与特征尺寸之间的数值关系，计算得到校正后的源物距和校正后的源像距；根据校正后的源物距和校正后的源像距，更新几何校正参数组，并根据几何校正参数组更新晶圆层析成像的运动轨迹，获得对应的运动轨迹参数组，保存用于晶圆层析成像的几何校正参数组和运动轨迹参数组。该方法解决了在线层析成像中因焦点漂移而导致几何校正参数失真的问题，且成本低。
本发明授权晶圆层析成像的在线几何校正方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆层析成像的在线几何校正方法，其特征在于，包括： 在射线源焦点与探测器成像平面中心连线垂直于探测面的情况下，采集待测物目标特征在不同放大倍数下的第一投影图像、第二投影图像和第三投影图像； 根据所述第一投影图像、第二投影图像和第三投影图像各自反映的成像参数与特征尺寸之间的数值关系，计算得到校正后的源物距和校正后的源像距，其中，所述成像参数包括源物距和源像距，所述特征尺寸包括所述待测物目标特征的实际尺寸和投影尺寸； 根据所述校正后的源物距和所述校正后的源像距，更新几何校正参数组，并根据所述几何校正参数组更新晶圆层析成像的运动轨迹，获得对应的运动轨迹参数组，保存所述几何校正参数组和所述运动轨迹参数组用于晶圆层析成像。
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