杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510796938.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、下P+层、P阱层以及N阱层，单个所述MOS元胞的两侧且位于源极与下P+层之间通过离子注入形成有侧P+层；所述侧P+层与N阱层呈轴对称分布，其中侧P+层和N阱层组合后的截面轮廓呈“凹”字形状。本发明通过侧P+层与N阱层形成的轴对称“凹”字形深结结构，显著增强耗尽区横向扩展能力，降低P阱层的寄生电阻，该结构阻断寄生双极晶体管导通路径，避免高温下闩锁效应。
本发明授权一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括有漏极（1）、半导体外延层、栅极（2）以及源极（3），所述半导体外延层包括N衬底层（4）、N漂移层（5）、下P+层（7）、P阱层（8）以及N阱层（9），其特征在于：单个所述MOS元胞的两侧且位于源极（3）与下P+层（7）之间通过离子注入形成有侧P+层（6）；所述侧P+层（6）与N阱层（9）呈轴对称分布，其中侧P+层（6）和N阱层（9）组合后的截面轮廓呈“凹”字形状； 所述源极（3）的截面轮廓为倒置的“L”字形状，其中源极（3）包括横向部分和纵向部分，所述源极（3）的纵向部分与侧P+层（6）和N阱层（9）组合后凹陷部分相适配。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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