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龙图腾网获悉华晟昇纳米科技(成都)有限公司申请的专利中心磁场可旋转式靶阴极及磁控溅射镀膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120158719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510637429.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权中心磁场可旋转式靶阴极及磁控溅射镀膜装置是由张斌;周君君设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本中心磁场可旋转式靶阴极及磁控溅射镀膜装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中心磁场可旋转式靶阴极及磁控溅射镀膜装置，涉及磁控溅射技术领域，中心磁场可旋转式靶阴极包括：靶材、第一柱磁铁、第二柱磁铁和旋转驱动装置，靶材的正面用于与带电粒子碰撞进行溅射；第一柱磁铁设置有多个，多个第一柱磁铁沿着第一圆周依次设置于靶材的背侧，第一圆周和靶材同轴，所有的第一柱磁铁靠近靶材的一侧磁极相同；第二柱磁铁设置有一个，第二柱磁铁设置于靶材的背侧；第二柱磁铁偏心设置于第一圆周内，第二柱磁铁靠近靶材的一侧的磁极与第一柱磁铁靠近靶材的一侧磁极相反；旋转驱动装置用于驱动第二柱磁铁围绕第一圆周的中心轴旋转。提高靶材的利用率以及溅射速率。

本发明授权中心磁场可旋转式靶阴极及磁控溅射镀膜装置在权利要求书中公布了：1.一种中心磁场可旋转式靶阴极，其特征在于：包括： 靶材，所述靶材的正面用于与带电粒子碰撞进行溅射； 第一柱磁铁，设置有多个，多个所述第一柱磁铁沿着第一圆周依次设置于所述靶材的背侧，所述第一圆周和所述靶材同轴，所有的所述第一柱磁铁靠近所述靶材的一侧磁极相同； 第二柱磁铁，设置有一个，所述第二柱磁铁设置于所述靶材的背侧；所述第二柱磁铁偏心设置于所述第一圆周内，所述第二柱磁铁靠近所述靶材的一侧的磁极与所述第一柱磁铁靠近所述靶材的一侧磁极相反；以及 旋转驱动装置，用于驱动所述第二柱磁铁围绕所述第一圆周的中心轴旋转； 所述靶材的背侧构造有一个冷却腔，所述冷却腔连通有一个进水道和一个出水道，所述冷却腔内用于循环冷却水以对所述靶材进行冷却；所述第二柱磁铁垂直于所述靶材的靶面设置，所述第一柱磁铁自远离所述靶材的一端至另一端逐渐朝靠近所述第一圆周的中心轴的方向延伸；还包括靶座连接固定套和磁轨座，所述磁轨座设置于所述靶材的背面，所述磁轨座的正面贴合所述靶材的背面设置，所述靶座连接固定套设置于所述磁轨座的背面并相互连接，所述磁轨座的背面设置有一个自背面朝向正面延伸的凹槽，所述第一柱磁铁设置于所述磁轨座的内部，并围绕所述凹槽依次设置，所述靶座连接固定套将所述凹槽密封并形成所述冷却腔，所述第二柱磁铁设置于所述冷却腔内，所述靶座连接固定套的中部设置有轴孔，所述旋转驱动装置的旋转轴穿设于所述轴孔中，所述旋转轴的自由端和所述第二柱磁铁固定连接，所述旋转轴的轴线和所述第一圆周的中心轴同轴；在出水道的内端口设置导流管，导流管出水口端面与磁轨座背面的间隙距离为1毫米，在使用状态下，使得冷却腔水平设置；磁轨座外罩设有屏蔽罩，所述屏蔽罩与磁轨座侧面间隙设置为不大于2.5mm。

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