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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120206314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510598303.6，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法是由张旺;郑向光;李达;刘少华;李青璇;崔景光设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法。本发明提供的碳化硅衬底的化学机械抛光方法，通过先进行Si面的抛光去除大部分材料，再进行C面抛光，最后再次进行Si面抛光，避免了传统先进行C抛光再进行Si面抛光存在的容易对已经抛光好的C面造成二次损伤或影响问题的出现；且在进行C面抛光时，由于Si面已经相对平整，C面抛光可以更精准地进行，有利于提高C面的平整度和加工精度。完成C面抛光后，再进行Si面的第二次抛光，通过分阶段控制化学药液和抛光液以及抛光压力的方式，进一步提高了Si面的平整度和表面质量，从而实现整个衬底的高精度加工，提高了产品的良品率。

本发明授权一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸碳化硅衬底的化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将待抛光的碳化硅衬底进行Si面的第一次化学机械抛光，去除厚度为0.7～0.9X，得碳化硅衬底Ⅰ；X为硅面总去除厚度； S2，对所述碳化硅衬底Ⅰ的C面进行化学机械抛光，得碳化硅衬底Ⅱ； S3，对所述碳化硅衬底Ⅱ进行Si面的第二次化学机械抛光，去除厚度为0.1～0.3X，得抛光后的碳化硅衬底； 其中，第二次化学机械抛光过程包括抛光垫修整、升压抛光阶段、稳压抛光阶段和降压抛光阶段；所述升压抛光阶段和降压抛光阶段的抛光终压力均小于稳压抛光阶段的压力； 所述升压抛光阶段和降压抛光阶段同时向抛光垫喷洒化学药液和抛光液；所述稳压抛光阶段仅向抛光垫喷洒抛光液； 所述化学药液包括还原性物质的水溶液，所述抛光液包括氧化剂和抛光剂； S3中，所述第二次化学机械抛光具体包括如下步骤： S301，向抛光垫表面喷淋所述化学药液，对抛光垫进行修整； S302，向修整后的抛光垫表面同时喷洒所述化学药液和抛光液，采用逐步升压的方式对Si面进行化学机械抛光，进入稳压抛光阶段3s～10s后，停止化学药液的喷洒，于恒定压力下继续对Si面进行化学机械抛光，稳压抛光阶段结束前3s～10s开启化学药液的喷洒，最后进入降压抛光阶段进行Si面的化学机械抛光。

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