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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于二氧化钒的超宽带-多频可切换的太赫兹吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164753.4，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权基于二氧化钒的超宽带-多频可切换的太赫兹吸收器是由崔真;柳南;张爽;王璐设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二氧化钒的超宽带-多频可切换的太赫兹吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二氧化钒的超宽带‑多频可切换的太赫兹吸收器，属于太赫兹波技术领域；其包括：超宽带‑多频可切换太赫兹吸收单元为多层结构，由上至下依次设置有互相贴合的上层图案化VO2层、上层SiO2介质层、下层VO2层、中间层图案化金层、下层SiO2介质层和底部金层；上层图案化VO2层为圆盘形，圆盘形内部设置有方环形狭缝；中间层图案化金层包括由内向外依次间隔设置的内圆环、外圆环和开口方环，开口方环的开口设置在每条边上中间位置。本发明基于二氧化钒的超宽带‑多频可切换的太赫兹吸收器，所设计的吸收器可以通过温控调整二氧化钒的电导率实现从超宽带吸收到多频吸收的切换。

本发明授权基于二氧化钒的超宽带-多频可切换的太赫兹吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化钒的超宽带-多频可切换的太赫兹吸收器，其特征在于，所述超宽带-多频可切换太赫兹吸收器包括M*N个多层结构的超宽带-多频可切换太赫兹吸收单元，M*N个多层结构的所述超宽带-多频可切换太赫兹吸收单元呈M*N二维分布，其中M和N都是正整数；所述超宽带-多频可切换太赫兹吸收单元由上至下依次设置有互相贴合的上层图案化VO2层、上层SiO2介质层、下层VO2层、中间层图案化金层、下层SiO2介质层和底部金层； 其中，所述上层图案化VO2层为圆盘形，所述圆盘形内部设置有方环形狭缝，所述方环形狭缝的四个角均与所述圆盘形相交并设置有缺口； 所述中间层图案化金层包括由内向外依次间隔设置的内圆环、外圆环和开口方环，所述开口方环的开口设置在每条边上中间位置； 所述上层SiO2介质层、所述下层VO2层、所述下层SiO2介质层和所述底部金层的边长与所述超宽带-多频可切换太赫兹吸收单元的周期长度均相等，所述上层图案化VO2层和所述中间层图案化金层的边长均小于所述超宽带-多频可切换太赫兹吸收单元的周期长度。

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