华中科技大学杨菁珉获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种场反等离子体动态形成装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119629831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411890200.9，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种场反等离子体动态形成装置及方法是由杨菁珉;饶波;俞豪俊;杨勇设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场反等离子体动态形成装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场反等离子体动态形成装置及方法，属于等离子体技术领域。该装置包括对碰融合区和其两端的两个形成区；形成区包括真空腔室、主放电线圈、偏置线圈和电离线圈；主放电线圈绕制在真空腔室的外表面；偏置线圈绕制在主放电线圈的外侧；电离线圈与主放电线圈和偏置线圈垂直设置；偏置电路向多个偏置线圈中同时通入反向电流，偏置线圈在真空腔室内产生反向磁场；电离线圈形成旋转磁场，电离真空腔室内的气体，产生等离子体；主放电支路向主放电线圈内通入正向电流，主放电线圈产生轴向梯度正向磁场，动态形成场反等离子体，在对碰融合区发生对碰融合。实现提高电源工作的可靠性和稳定性，提高动态形成场反等离子体的重复性。
本发明授权一种场反等离子体动态形成装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种场反等离子体动态形成装置，其特征在于，包括两个形成区和对碰融合区，两个所述形成区设置在所述对碰融合区的两端； 所述形成区包括真空腔室、主放电线圈、偏置线圈和电离线圈； 所述主放电线圈绕制在所述真空腔室的外表面；所述偏置线圈绕制在所述主放电线圈的外侧；所述电离线圈与所述主放电线圈和偏置线圈垂直设置； 所述电离线圈用于形成旋转磁场，电离所述真空腔室内的气体，产生等离子体； 多个所述偏置线圈串联之后连接一个偏置电路，所述偏置电路用于向多个所述偏置线圈中同时通入反向电流；所述偏置线圈用于在真空腔室内产生反向磁场； 每个主放电线圈连接并联的主放电支路和续流支路；所述主放电支路用于向对应的主放电线圈内通入正向电流；所述主放电线圈用于在所述真空腔室产生轴向梯度正向磁场，动态形成场反位形等离子体；所述续流支路在所述主放电线圈的电流最大时自动接通，用于降低所述主放电线圈的电流； 所述反位形等离子体在所述对碰融合区发生对碰融合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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