通威微电子有限公司张御寜获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利碳硅自平衡晶体生长装置及晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411859721.8，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权碳硅自平衡晶体生长装置及晶体生长方法是由张御寜设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳硅自平衡晶体生长装置及晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种碳硅自平衡晶体生长装置及晶体生长方法，涉及半导体领域。本碳硅自平衡晶体生长装置及对应的晶体生长方法通过在坩埚内增设放置于碳化硅粉料上的带有多个第一通孔的石墨环，在石墨环的上表面放置带有多个第二通孔的石墨筒，并在坩埚的周壁、石墨环和石墨筒共同围成的环形腔之间装填碳化钽颗粒，同时在石墨筒的内壁设置可熔化的碳化硅挡环。如此设置可以在晶体生长前期降低硅组分比例，在晶体生长中后期降低碳组分比例，从而实现碳硅组分在整个晶体生长周期内始终处于平衡状态，以提高晶体生长质量。
本发明授权碳硅自平衡晶体生长装置及晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳硅自平衡晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100的底部盛装有碳化硅粉料700，所述坩埚100的顶部设置有籽晶110； 石墨环200，所述石墨环200放置于所述碳化硅粉料700的上方，所述石墨环200具有多个第一通孔210； 石墨筒300，所述石墨筒300放置于所述石墨环200的上表面，所述石墨筒300具有多个第二通孔310； 碳化钽颗粒600，所述碳化钽颗粒600填充于所述石墨环200、所述石墨筒300及所述坩埚100的周壁共同围成的环形腔120内； 碳化硅挡环400，所述碳化硅挡环400设置于所述石墨筒300的内壁，所述碳化硅挡环400的顶端高于所述碳化钽颗粒600的填充高度且低于所述石墨筒300的顶端，所述碳化硅挡环400用于在晶体生长前阻挡所述碳化钽颗粒600穿过所述多个第二通孔310掉落至所述石墨筒300的内腔以及用于在晶体生长过程中逐渐熔化以使所述碳化钽颗粒600穿过所述多个第二通孔310掉落至所述石墨筒300的内腔。
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