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龙图腾网获悉广东凯迪微智能装备有限公司申请的专利半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411781558.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统是由江永;熊伟设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统在说明书摘要公布了：本发明公开了信息技术领域的半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统，半导体晶圆清洗系统的控制方法，包括以下步骤：获取晶圆表面图像，采用图像分割算法处理所述晶圆表面图像，识别所述晶圆表面图像中的污染区域和非污染区域，根据所述污染区域的面积、形态和灰度特征，判断所述晶圆表面的污染程度和污染类型；记录每批次晶圆的清洗过程数据，所述清洗过程数据包括清洗配方、清洗参数、清洗时间、清洗剂用量、污染去除率和表面损伤情况，应用大数据分析技术，挖掘不同型号晶圆的最优清洗工艺，动态更新优化所述清洗配方数据库，以提高清洗效率和良率。

本发明授权半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统在权利要求书中公布了：1.半导体晶圆清洗系统的清洗方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤S101，获取晶圆表面图像，采用图像分割算法处理所述晶圆表面图像，识别所述晶圆表面图像中的污染区域和非污染区域，根据所述污染区域的面积、形态和灰度特征，判断所述晶圆表面的污染程度和污染类型； 步骤S102，根据所述污染程度和所述污染类型的判断结果，从预设的清洗配方数据库中选择最优清洗配方，根据所述晶圆表面的结构复杂程度，所述结构复杂程度包括线宽、深宽比和图形密度，动态调整所述最优清洗配方中的清洗时间、清洗剂浓度和清洗温度参数，得到动态调整后的清洗配方； 步骤S103，在晶圆清洗过程中，通过传感器实时采集清洗设备内的环境温度、湿度和压力参数，将所述环境温度、湿度和压力参数与预设的最优范围进行比较，所述最优范围根据历史清洗数据和晶圆材料特性确定，若比较结果的偏差超出预设阈值，则触发报警，并自动调节所述清洗设备的工艺参数，以维持清洗环境的稳定性； 步骤S104，清洗完成后，再次采用机器视觉检测所述晶圆表面，将清洗后的检测图像与清洗前的图像进行比对，计算污染去除率，将所述污染去除率与预设的清洗合格标准进行比对，若未达到所述清洗合格标准，则返回步骤S102,重新执行清洗，直至达到所述清洗合格标准； 步骤S105，在清洗达到合格标准后，采用原子力显微镜对所述晶圆表面进行形貌检测，获取所述晶圆表面的粗糙度和缺陷密度参数，将所述粗糙度和缺陷密度参数与预设的晶圆表面质量标准进行比对，判断清洗过程是否对所述晶圆表面结构造成损伤，若检测到表面结构受损，则记录损伤类型和损伤程度，并调整所述清洗配方的参数，以减少类似损伤； 步骤S106，记录每批次晶圆的清洗过程数据，所述清洗过程数据包括清洗配方、清洗参数、清洗时间、清洗剂用量、污染去除率和表面损伤情况，应用大数据分析技术，挖掘不同型号晶圆的最优清洗工艺，动态更新优化所述清洗配方数据库，以提高清洗效率和良率； 步骤S107，根据晶圆生产计划、设备管理系统的反馈信息、历史清洗效果数据和能耗数据，预测并优化清洗设备的能耗和物耗，应用基于多目标优化的智能调度算法，综合考虑清洗效果、能耗、物耗和设备利用率因素，合理安排清洗任务，最小化清洗成本，兼顾生产效率和交期，实现清洗过程的智能化管控。

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