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龙图腾网获悉长春理工大学;北京理工大学;中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726662.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法是由郝群;陈梦璐;石峰;赵雪;彭星;乔冬阳设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法，属于牺牲层材料技术领域。本发明的SiC材料表面原位生长CsPbBr3量子点牺牲层的方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液；在所述CsPbBr3前驱体溶液中掺杂轻金属离子，得到轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液；将所述轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料。本发明将CsPbBr3量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，通过轻金属离子掺杂提高了其量子点的发光性能，同时增强了量子点层与SiC晶圆的界面结合力。

本发明授权一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法在权利要求书中公布了：1.一种原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： Ar气气氛中，对原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料进行脉冲离子束抛光，得到抛光后的SiC材料； 所述脉冲离子束抛光的参数为：离子束功率110W，脉冲频率100Hz，屏栅电压800V，加速栅电压110V，屏栅电流18mA，中和器电流158mA，Ar气流量20SCCM，抛光时间1-2min； 所述原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料的制备方法包括以下步骤： （1）将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr3前驱体溶液； （2）在所述CsPbBr3前驱体溶液中掺杂轻金属离子，得到轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液； （3）将所述轻金属离子掺杂的CsPbBr3前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有CsPbBr3量子点牺牲层的SiC材料； 所述铅源为PbBr2；所述铯源为CsBr；所述铅源和铯源的摩尔比为0.9-1.1； 所述轻金属离子的种类为Na+或K+；所述铅源与轻金属离子的摩尔比为64-6400:1； 所述CsPbBr3量子点牺牲层的厚度为200nm。

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