麻省理工学院布伦丹·德里克·史密斯获国家专利权
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龙图腾网获悉麻省理工学院申请的专利多孔和纳米多孔半导体材料及其制造获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111937120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980023528.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权多孔和纳米多孔半导体材料及其制造是由布伦丹·德里克·史密斯;杰弗里·C·格罗斯曼设计研发完成，并于2019-04-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔和纳米多孔半导体材料及其制造在说明书摘要公布了：描述了用于形成多孔或纳米多孔半导体材料的方法。所述方法允许在半导体材料中以有利的孔尺寸、间距、孔体积、材料厚度和其他方面形成阵列孔或纳米孔。还提供了多孔和纳米多孔材料。
本发明授权多孔和纳米多孔半导体材料及其制造在权利要求书中公布了：1.一种多孔半导体材料，包括： 半导体材料；和 在所述半导体材料中的多个孔，所述多个孔的平均孔径小于20nm，以及其中所述多个孔限定了至少0.1％的按将总孔体积除以所述总孔体积加固体材料体积之和而测量的总体积孔隙率， 其中至少0.05％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面，以及 其中所述材料具有作为所述材料的最小截面的厚度，并且所述厚度为至少0.05微米。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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