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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910259333.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由金煐勋;梁在锡;李海王设计研发完成，并于2019-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸；第三鳍图案，在与第一方向相交的第二方向上与第一鳍图案间隔开并在第一方向上延伸；第四鳍图案，通过第二隔离沟槽与第三鳍图案分离；第一栅结构，与第一鳍图案相交，并且具有沿第一鳍图案的上表面延伸的部分；第二栅结构，与第二鳍图案相交，并且具有沿第二鳍图案的上表面延伸的部分；以及第一元件隔离结构，填充第二隔离沟槽，并且面对第一栅结构的短边。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一鳍图案和第二鳍图案，所述第一鳍图案和所述第二鳍图案通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸， 其中，所述第一鳍图案的短边与所述第二鳍图案的短边在所述第一方向上彼此间隔开并在所述第一方向上彼此面对； 第三鳍图案，所述第三鳍图案在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一鳍图案间隔开并在所述第一方向上延伸； 第四鳍图案，所述第四鳍图案通过第二隔离沟槽与所述第三鳍图案分离， 其中，所述第三鳍图案的短边与所述第四鳍图案的短边在所述第一方向上彼此间隔开并在所述第一方向上彼此面对，并且 其中，所述第二隔离沟槽在所述第二方向上延伸； 第一栅结构，所述第一栅结构与所述第一鳍图案相交，并且具有沿所述第一鳍图案的上表面延伸的部分； 第二栅结构，所述第二栅结构与所述第二鳍图案相交，并且具有沿所述第二鳍图案的上表面延伸的部分；以及 第一元件隔离结构，所述第一元件隔离结构填充所述第二隔离沟槽， 其中，所述第一元件隔离结构在所述第二方向上延伸， 其中，在俯视图中，所述第一元件隔离结构的短边与所述第一栅结构的短边在所述第二方向上彼此间隔开，并且在所述第二方向上彼此面对， 其中，所述第一元件隔离结构的最顶表面与所述第一栅结构的最顶表面处于相同的高度，并且 其中，所述第一栅结构覆盖所述第一鳍图案的包括所述第一鳍图案的所述短边在内的端部的侧壁。

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