三星电子株式会社高民求获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910238059.7，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权发光装置是由高民求;郭重熙;柳荣浩;梁成锡;李相奭;蔡昇完设计研发完成，并于2019-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光装置在说明书摘要公布了：发光装置包括：衬底，其在第一方向和第二方向上延伸；第一发光结构至第四发光结构，其在第一方向和第二方向上彼此间隔开并且以矩阵形式布置在衬底上；多个第一互连层结构，其将第一发光结构连接至第二发光结构；第二互连层结构，其将第二发光结构连接至第三发光结构；以及多个第三互连层结构，其将第三发光结构连接至第四发光结构。
本发明授权发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，包括： 衬底，其在第一方向和第二方向上延伸； 第一发光结构至第四发光结构，其在第一方向和第二方向上彼此间隔开，并且在所述衬底上以矩阵形式布置，所述第一发光结构至所述第四发光结构包括所述第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构和所述第四发光结构； 多个第一互连层结构，其将所述第一发光结构连接至所述第二发光结构； 第二互连层结构，其将所述第二发光结构连接至所述第三发光结构；以及 多个第三互连层结构，其将所述第三发光结构连接至所述第四发光结构， 其中，所述第一发光结构至所述第四发光结构中的每一个包括第一导电氮化物半导体层、所述第一导电氮化物半导体层上方的有源层以及所述有源层上方的第二导电氮化物半导体层， 其中，所述发光装置还包括： 第一电流扩散层结构，其连接至所述第一发光结构的第二导电氮化物半导体层；以及 第二电流扩散层结构，其连接至所述第四发光结构的第一导电氮化物半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号