全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120299545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510771784.6，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质。在该方法中，针对晶圆的电化学沉积过程中的时刻，基于晶圆的沉积状态，从电化学沉积过程的多个处理阶段中确定该时刻要对晶圆进行的目标处理阶段。基于晶圆的特征结构信息和与电化学沉积过程有关的工艺参数，对目标处理阶段进行仿真，以确定与该时刻对应的针对电化学沉积速度的仿真结果。基于针对多个时刻分别确定的多个仿真结果，确定工艺参数的目标参数值。
本发明授权用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种用于仿真晶圆处理过程的方法，包括： 针对芯片的电化学沉积过程的时刻， 基于所述芯片的沉积状态，从所述电化学沉积过程的多个处理阶段中确定该时刻要对所述芯片进行的目标处理阶段，所述多个处理阶段是基于电化学沉积的效果而划分的，所述多个处理阶段对应于不同的仿真模型； 基于所述芯片的特征结构信息和与所述电化学沉积过程有关的工艺参数，利用与所述目标处理阶段对应的仿真模型对所述目标处理阶段进行仿真，以确定与该时刻对应的针对电化学沉积速度的仿真结果；以及 基于针对多个所述时刻分别确定的多个仿真结果，确定所述工艺参数的目标参数值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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