合肥晶合集成电路股份有限公司张静获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510713073.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由张静;周儒领;汪子千设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多个栅极结构，于相邻两个栅极结构之间的衬底内形成预处理沟槽；于预处理沟槽的内壁上形成拓展层；刻蚀去除拓展层中位于预处理沟槽底部的部分，使剩余的拓展层覆盖所述预处理沟槽的侧壁，并刻蚀预处理沟槽下方的衬底，以形成基于预处理沟槽的初始沟槽；刻蚀所述初始沟槽中未被拓展层覆盖的部分并形成西格玛沟槽；去除剩余的拓展层；于所述西格玛沟槽内形成外延层，所述外延层包括自下而上依次堆叠的缓冲层、中间层和盖帽层，且所述缓冲层完全覆盖所述西格玛沟槽的内壁。本申请减少或避免了中间层中的元素扩散至衬底内，从而减少甚至避免半导体器件的短沟道效应。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有多个相互间隔的栅极结构，于相邻两个所述栅极结构之间的所述衬底内形成预处理沟槽； 采用原位水汽生成工艺或热氧化生长工艺于所述预处理沟槽的内壁上形成拓展层； 刻蚀去除所述拓展层中位于所述预处理沟槽的底部的部分，使剩余的所述拓展层覆盖所述预处理沟槽的侧壁，并刻蚀所述预处理沟槽下方的部分所述衬底，以形成基于所述预处理沟槽的初始沟槽； 刻蚀所述初始沟槽中未被所述拓展层覆盖的部分并形成西格玛沟槽； 去除剩余的所述拓展层； 于所述西格玛沟槽内形成外延层，所述外延层包括自下而上依次堆叠的缓冲层、中间层和盖帽层，且所述缓冲层完全覆盖所述西格玛沟槽的内壁，所述缓冲层包括靠近所述衬底一侧的第一缓冲层和靠近所述中间层一侧的第二缓冲层。
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