买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海三菲半导体有限公司申请的专利一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510570996.8，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法是由杨军设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法，采用有机溶剂将衬底进行清洗以去除表面的污染物和氧化物；将氮气通入干燥清洁的反应器；将衬底放置在反应器中的载盘上，并将反应器加热到生长温度；使用流量控制器将源气体引入反应器，控制各种源气体的流量；通过反应器自动控制膜层的厚度；生长完成后，逐渐降低反应器温度，冷却完毕后，取出所有衬底及观测片，通过高分辨率X射线衍射测量和光致发光测量，确认晶体生长的量子阱的张应变与设计相符，以确保外延片的晶体质量和器件性能。本发明可以使激光器的阈值电流在同等条件下降低50%；采用了特殊的量子阱设计，具有高增益和窄线宽的技术效果，具有推广应用的价值。

本发明授权一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低阈值电流的脊波导模拟激光器的制备方法，其特征在于，所述具有低阈值电流的脊波导模拟激光器有源层采用多个具有相同或不同张应力的宽量子阱，所述有源层的结构由多个张应变的宽量子阱和量子势垒交替形成，其具体的层叠结构为：势垒空穴注入层、宽量子阱1、势垒层1、宽量子阱2、势垒层2…宽量子阱N、势垒层N，每层宽量子阱厚度14nm，所述具有低阈值电流的脊波导模拟激光器外延结构的制备方法包括以下步骤： S1：采用有机溶剂将衬底进行清洗以去除表面的污染物和氧化物； S2：将氮气通入干燥清洁的反应器，所述反应器为低压金属有机气相外延反应器； S3：将衬底放置在反应器中的载盘上，并将反应器加热到生长温度720℃； S4：使用流量控制器将源气体引入反应器，控制各种源气体的流量，所述源气体中In、Ga、Al为III族源气体，As为V族源气体，V族源气体与III族源气体的比例为100：1； S5：通过反应器自动控制膜层的厚度； S6：生长完成后，逐渐降低反应器温度，冷却完毕后，取出所有衬底及观测片，通过高分辨率X射线衍射测量和光致发光测量，验证实际外延的量子阱张应变应力与设计相符，并确认量子阱的晶体质量结晶度，从而实现激光器阈值电流的优化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海三菲半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区沧海路2828号11-2厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。