合肥晶合集成电路股份有限公司朱瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器的制备方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510303052.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权图像传感器的制备方法、图像传感器是由朱瑶;杨军设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的制备方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种图像传感器的制备方法、图像传感器，涉及显示技术领域，该图像传感器在隔离凹槽内设置了具有第一掺杂离子的阻隔层，由于该阻隔层的致密性较高，可以阻隔刻蚀时外部离子从隔离沟槽的界面处钻入像素区，所以避免了由于界面处缺陷造成的暗电流的产生，进一步避免了像素区的局部区域产生白像素的问题。
本发明授权图像传感器的制备方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的掩膜层，所述基底具有至少两个像素区，以及位于相邻两个所述像素区之间的隔离沟槽，所述隔离沟槽贯穿所述掩膜层，并延伸至部分所述衬底内； 在所述隔离沟槽的侧壁以及底部的所述衬底的表面形成第一介质层； 在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层； 在所述阻隔层的表面形成填充所述隔离沟槽的第一隔离材料层； 刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成开口区； 在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层； 其中，所述阻隔层为氮化硅阻隔层，所述第一掺杂离子为C离子；所述刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成开口区的步骤，包括： 采用第一刻蚀气体刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成所述开口区； 所述第一刻蚀气体包括含氟离子的刻蚀气体。
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