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龙图腾网获悉清华大学申请的专利超导薄膜的物理参数的测量装置及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119986489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510173279.1，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权超导薄膜的物理参数的测量装置及测量方法是由曹宗正;张定设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本超导薄膜的物理参数的测量装置及测量方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种超导薄膜的物理参数的测量装置及测量方法，该测量装置包括测量结构和磁场发生器，测量结构包括本体部和互感线圈，本体部设有腔体；腔体用于容纳超导薄膜并用于填充离子液体；本体部包括多个活性电极及调控电极；多个活性电极包括间隔分布的第一电流电极和第二电流电极、第一霍尔电极和第二霍尔电极；第一电流电极设置在第一边缘区域，第二电流电极设置于第三边缘区域，第一霍尔电极设置于第二边缘区域，第二霍尔电极设置于第四边缘区域。互感线圈位于超导薄膜的至少一侧；磁场发生器位于腔体的外侧。可原位调控并测量得到对应的载流子浓度和伦敦穿透深度，从而建立超导薄膜的伦敦穿透深度随载流子浓度的变化而变化的量化规律。

本发明授权超导薄膜的物理参数的测量装置及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种超导薄膜的物理参数的测量装置，其特征在于，包括： 测量结构，包括本体部和互感线圈，所述本体部设有腔体；所述腔体用于容纳超导薄膜并用于填充离子液体；所述本体部包括多个活性电极及调控电极；所述调控电极与所述活性电极被配置为通过它们之间的调控电压驱动所述离子液体中的离子掺杂进所述超导薄膜内；所述多个活性电极位于所述超导薄膜远离所述腔体底面的表面上，所述多个活性电极包括间隔分布的第一电流电极、第二电流电极、第一霍尔电极和第二霍尔电极；所述超导薄膜远离所述腔体的表面包括第一边缘区域、第二边缘区域、第三边缘区域和第四边缘区域，所述第一边缘区域和所述第三边缘区域相对设置且均沿第一方向延伸，所述第二边缘区域和所述第四边缘区域相对设置且均沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一电流电极设置在所述第一边缘区域，所述第二电流电极设置于所述第三边缘区域，所述第一霍尔电极设置于所述第二边缘区域，所述第二霍尔电极设置于所述第四边缘区域；所述互感线圈位于所述超导薄膜的至少一侧，用于向所述超导薄膜施加互感磁场并获取由于所述超导薄膜内部磁场变化而产生的互感信号； 磁场发生器，位于所述腔体的外侧，用于向所述超导薄膜施加垂直于所述腔体底面的方向上的霍尔磁场。

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