深圳市晶存科技股份有限公司刘孜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082276.7，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质是由刘孜设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质，方法包括：获取LPDDR芯片的制程参数；根据所述制程参数确定参数类型，所述参数类型表征所述制程参数的类型；根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的DVFSC模式；根据所述DVFSC模式、所述预设数据表和所述制程参数确定LPDDR芯片的动态电压。本申请能够有效弥补现有方法的不足，通过LPDDR芯片的制程参数，确定LPDDR芯片的DVFSC模式，从而计算得到DVFSC模式下的动态电压，因此在DVFSC模式为低频模式时，能够计算相应的动态电压，提高LPDDR芯片工作的稳定性。
本发明授权一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种LPDDR芯片的动态电压确定方法，其特征在于，包括： 获取LPDDR芯片的制程参数； 根据所述制程参数确定参数类型，所述参数类型表征所述制程参数的类型； 根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的DVFSC模式； 根据所述DVFSC模式、所述预设数据表和所述制程参数确定LPDDR芯片的动态电压，具体包括：基于所述DVFSC模式在所述预设数据表确定目标条目，获取所述目标条目中第一类型的所述制程参数所对应的第一电压，获取所述目标条目中第二类型的所述制程参数所对应的第二电压，获取所述目标条目中第三类型的所述制程参数所对应的第三电压，获取所述目标条目中第四类型的所述制程参数所对应的第四电压，根据所述第一电压、所述第二电压、第三电压和第四电压确定所述动态电压，所述动态电压表示根据不同的所述制程参数所预设的电压。
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