浙江创芯集成电路有限公司吕军军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法及多晶硅尺寸监控方法、产品电性监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824009.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法及多晶硅尺寸监控方法、产品电性监测方法是由吕军军;陶然;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法及多晶硅尺寸监控方法、产品电性监测方法在说明书摘要公布了：本发明公开半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法及多晶硅尺寸监控方法、产品电性监测方法。本发明通过对所述金属硅化物对应的方块电阻两端分别施加高电位或低电位，测得金属硅化物方块电阻总阻值；由于金属硅化物方块电阻总阻值受离子注入层电阻干扰，通过将金属硅化物方块电阻总阻值去除离子注入层电阻干扰后作为金属硅化物电阻。本发明创新性地提出离子注入层干扰问题，并通过精确的计算方法将其去除，从而能够获得不受离子注入层干扰的金属硅化物实际阻值。与传统测量方法相比，本发明的测量结果更加准确可靠，为后续的多晶硅尺寸监控和半导体器件性能评估提供了坚实的数据基础。
本发明授权半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法及多晶硅尺寸监控方法、产品电性监测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中金属硅化物电阻的测量方法，所述半导体器件中金属硅化物是通过多晶硅的离子注入层上沉积金属硅化物而形成的金属硅化物层；其特征在于，所述方法是通过对所述金属硅化物对应的方块电阻两端分别施加高电位或低电位，测得金属硅化物方块电阻总阻值；由于金属硅化物方块电阻总阻值受离子注入层电阻干扰，通过将金属硅化物方块电阻总阻值去除离子注入层电阻干扰后作为金属硅化物电阻。
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