买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉恒烁半导体(合肥)股份有限公司申请的专利一种温度无关的基准电流源及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411721437.4，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种温度无关的基准电流源及其应用是由潘国昌;李政达;欧阳托日;任军;李昱;李文超;王也;陈亮设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种温度无关的基准电流源及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种温度无关的基准电流源及其应用，包括温度相关电阻、多电压生成模块和补偿基准电流生成模块，温度相关电阻为温度负相关电阻或温度正相关电阻；多电压生成模块生成并输出温度正相关电压、温度负相关电压和温度无关基准电压中的一种或几种，补偿基准电流生成模块基于温度正相关电压和温度正相关电阻或者温度负相关电压和温度负相关电阻生成与温度无关的基准电流。本发明的基准电流源能够有效补偿电阻温度系数，从而获得与温度无关的基准电流，其适应范围广，结构灵活简单，具有较高的实用价值和广泛的应用前景。

本发明授权一种温度无关的基准电流源及其应用在权利要求书中公布了：1.一种温度无关的基准电流源，其特征在于，包括温度相关电阻、多电压生成模块和补偿基准电流生成模块，其中， 所述温度相关电阻为温度负相关电阻或温度正相关电阻； 所述多电压生成模块接入电源电路，配置成用于生成并输出温度正相关电压、温度负相关电压和温度无关基准电压中的一种或几种，所述温度正相关电压与温度正相关电阻、温度负相关电压与温度负相关电阻的温度系数分别相等； 所述多电压生成模块包括带隙基准源子模块，所述带隙基准源子模块具体包括PMOS管PM1-PM3，三极管Q1-Q2，NMOS管NM1、电阻R1，其中， 所述PMOS管PM1、PM2、PM3共源端并接入电源电路； 所述PMOS管PM1、PM2、PM3共栅端并接入PM1的漏端； 所述PMOS管PM1、PM2、PM3的漏端分别接入NMOS管NM1的漏端、三极管Q1的集电极、三极管Q2的集电极； 所述三极管Q1、Q2共基极并接入Q1的集电极； 所述NMOS管NM1的栅端接入三极管Q2的集电极； 所述NMOS管NM1的源端与三极管Q1的发射极相连并接入电阻R1的一端； 所述电阻R1的另一端与三极管Q2的发射极相连并接入公共接地端； 电压调制子模块具体包括PMOS管PM4，三极管Q3，电阻R2-R4，其中， 所述PMOS管PM4的源端接入电源电路，且与PMOS管PM3共栅端； 所述PMOS管PM4的漏端接入电阻R4的一端并作为第一输出节点输出温度正相关电压； 所述电阻R4另一端接入电阻R3的一端并作为第二输出节点输出温度无关基准电压； 所述电阻R3另一端接入电阻R2的一端并作为第三输出节点输出温度负相关电压； 所述电阻R2的另一端与三极管Q3的集电极相连并接入Q3的基极； 所述三极管Q3的发射极接入公共接地端； 所述三极管Q1、Q2、Q3均为NPN型； 所述补偿基准电流生成模块接入电源电路，配置成基于温度正相关电压和温度正相关电阻或者温度负相关电压和温度负相关电阻生成与温度无关的基准电流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恒烁半导体(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北庐阳中科大校友企业创新园11号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。