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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括纳米片场效应晶体管单元架构的半导体装置及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911089906.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权包括纳米片场效应晶体管单元架构的半导体装置及芯片是由麦克·史帝芬·罗德尔;雷维基·森古普塔;洪俊顾;提塔许·瑞许特设计研发完成，并于2019-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括纳米片场效应晶体管单元架构的半导体装置及芯片在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及一种半导体芯片。半导体装置包括被沟道间距间隔开的第一环绕式栅极场效应晶体管与第二环绕式栅极场效应晶体管及栅极触点。环绕式栅极场效应晶体管中的每一者包括：水平纳米片导电沟道结构；栅极材料，完全包围水平纳米片导电沟道结构；源极区及漏极区，位于水平纳米片导电沟道结构的相对的端处；源极触点及漏极触点，位于源极区及漏极区上。第一环绕式栅极场效应晶体管或第二环绕式栅极场效应晶体管的水平纳米片导电沟道结构的宽度小于最大允许宽度。栅极触点与第一环绕式栅极场效应晶体管及第二环绕式栅极场效应晶体管的源极区及漏极区中的每一者间隔开介于从最小设计规则间距到最大距离的范围内的距离。

本发明授权包括纳米片场效应晶体管单元架构的半导体装置及芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一环绕式栅极场效应晶体管；以及 第二环绕式栅极场效应晶体管，与所述第一环绕式栅极场效应晶体管间隔开沟道间距，所述第一环绕式栅极场效应晶体管及所述第二环绕式栅极场效应晶体管中的每一者包括： 至少一个水平纳米片导电沟道结构； 栅极材料，完全包围所述至少一个水平纳米片导电沟道结构中的每一者； 源极区，位于所述至少一个水平纳米片导电沟道结构的第一端处； 源极触点，位于所述源极区上； 漏极区，位于所述至少一个水平纳米片导电沟道结构的与所述第一端相对的第二端处；以及 漏极触点，位于所述漏极区上， 其中所述第一环绕式栅极场效应晶体管或所述第二环绕式栅极场效应晶体管中的至少一者的所述至少一个水平纳米片导电沟道结构的宽度小于最大允许宽度；以及 至少一个栅极触点，位于所述第一环绕式栅极场效应晶体管与所述第二环绕式栅极场效应晶体管之间的所述沟道间距中所述栅极材料上，所述至少一个栅极触点与所述第一环绕式栅极场效应晶体管及所述第二环绕式栅极场效应晶体管的所述源极区及所述漏极区中的每一者间隔开介于从最小设计规则间距到最大距离的范围内的距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。