中国科学院微电子研究所韩春蕊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111722310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910216980.1，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法是由韩春蕊;叶剑挺;齐月静;王宇设计研发完成，并于2019-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法，该装置包括：一高导电材料衬底；在高导电材料衬底上形成的一绝缘层；在绝缘层上形成的一二维晶体单层；在二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及在透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。本发明基于金属表面等离激元共振原理，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的。本发明调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。
本发明授权一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，包括： 一高导电材料衬底； 在所述高导电材料衬底上形成的一绝缘层，其中，所述绝缘层是SiO2或Al2O3； 在所述绝缘层上形成的一二维晶体单层，其中，所述二维晶体单层为过渡金属硫族化合物MX2，M=Mo、W；X=S、Se、Te； 在所述二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及 在所述透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。
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