日月光半导体制造股份有限公司何政霖获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110277366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910197196.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺是由何政霖;李志成设计研发完成，并于2019-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺在说明书摘要公布了：一种衬底结构包含布线结构和支撑件。所述布线结构包含第一介电结构、第一电路层、第二介电结构和第二电路层。所述第一电路层安置于所述第一介电结构上。所述第二介电结构覆盖所述第一介电结构和所述第一电路层。所述第一电路层的垫部分从所述第一介电结构暴露，且所述第二电路层从所述第二介电结构突出。所述支撑件安置于邻近所述布线结构的所述第一介电结构，并界定至少一个通孔对应于所述第一电路层的所述暴露的垫部分。
本发明授权衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺在权利要求书中公布了：1.一种衬底结构，其包括： 布线结构，其包含第一介电结构、第一电路层、第二介电结构和第二电路层，其中所述第一电路层安置于所述第一介电结构上，所述第二介电结构覆盖所述第一介电结构和所述第一电路层，所述第一电路层的垫部分从所述第一介电结构暴露，且所述第二电路层从所述第二介电结构突出； 支撑件，其安置于邻近所述布线结构的所述第一介电结构，并界定至少一个通孔，其对应于所述第一电路层的所述暴露的垫部分； 绝缘层，其安置于所述布线结构与所述支撑件之间，其中所述绝缘层是离型膜；以及 插塞材料，其安置于所述支撑件的所述至少一个通孔中，所述插塞材料的第一表面与所述支撑件的第一表面共面，且所述插塞材料的第二表面与所述支撑件的第二表面共面，其中所述插塞材料是树脂。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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