株式会社半导体能源研究所高桥正弘获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利正极活性物质粒子获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111682188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010662991.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权正极活性物质粒子是由高桥正弘;落合辉明;门马洋平;鹤田彩惠设计研发完成，并于2018-05-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本正极活性物质粒子在说明书摘要公布了：提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
本发明授权正极活性物质粒子在权利要求书中公布了：1.一种锂离子二次电池，其为包含正极活性物质粒子的锂离子二次电池， 所述正极活性物质粒子包含晶界及多个晶粒， 所述正极活性物质粒子在所述晶界或所述晶界的附近具有镁及氧， 所述正极活性物质粒子具有：相对于所述晶粒中的钴的原子浓度的所述晶界或所述晶界的附近中的镁的原子浓度的比为0.010以上且0.5以下的区域， 所述晶界及其附近具有宽度为1nm以上且10nm以下的区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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