江西萨瑞半导体技术有限公司余快获国家专利权
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龙图腾网获悉江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510969678.9，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件及其制备方法是由余快;杜天伦;宋锐设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件及其制备方法，通过P型衬底以及嵌设于P型衬底中的隔离层，隔离层将P型衬底分割为两个区域；一个区域内包括依次沉积于P型衬底的第一N型层、第一P型层、第二N型层以及掺杂浓度高于第一P型层的第二P型层，其中，第一N型层和第二N型层均包括横向设置的两个不同掺杂浓度的区域，且第一N型层和第二N型层中两个区域的结构相反；另一区域内包括依次沉积于P型衬底的第三N型层和第三P型层；当具有超低电容的双向回滞型TVS器件的衬底为N型时，通过对衬底为P型的具有超低电容的双向回滞型TVS器件中所有掺杂反型即得，可以在满足正负双向瞬态电压冲击的同时，具有超低电容特性。
本发明授权一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超低电容的双向回滞型TVS器件，其特征在于，当具有超低电容的双向回滞型TVS器件的衬底为P型时，包括P型衬底以及嵌设于所述P型衬底中的隔离层，所述隔离层将所述P型衬底分割为两个区域； 一个区域内包括自下而上依次沉积于所述P型衬底上的第一N型层、第一P型层、第二N型层以及掺杂浓度高于所述第一P型层的第二P型层，其中，所述第一N型层包括横向设置的第一N型区域和掺杂浓度低于所述第一N型区域的第二N型区域，所述第二N型层包括横向设置的第三N型区域和掺杂浓度低于所述第三N型区域的第四N型区域，且所述第一N型区域与所述第四N型区域位于同侧，所述第二N型区域与所述第三N型区域位于同侧； 另一区域内包括自下而上依次沉积于所述P型衬底上的第三N型层和第三P型层； 当具有超低电容的双向回滞型TVS器件的衬底为N型时，通过对衬底为P型的具有超低电容的双向回滞型TVS器件中所有掺杂反型即得。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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