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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种垂直发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510970295.3，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种垂直发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;邹燕玲;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED的技术领域，公开了一种垂直发光二极管芯片及其制备方法，包括：外延层和导电衬底，外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，外延层的一侧设置有电流扩展层、第一绝缘层、P型金属反射层和P型金属导电层，第一绝缘层覆盖电流扩展层，第一绝缘层上形成有第一通孔，P型金属反射层设置于第一绝缘层上，并通过第一通孔与电流扩展层相接触，P型金属导电层覆盖P型金属反射层，其中，第一绝缘层包括依次堆叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层，第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层均为通入N2O和SiH4两种气体反应形成的SiO2薄膜。实施本发明，可以大幅减小绝缘层的应力，提高衬底的剥离良率。

本发明授权一种垂直发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直发光二极管芯片，其特征在于，包括外延层和导电衬底； 所述外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，所述外延层的一侧设置有电流扩展层、第一绝缘层、P型金属反射层和P型金属导电层，所述第一绝缘层覆盖所述电流扩展层，所述第一绝缘层上形成有第一通孔，所述P型金属反射层设置于所述第一绝缘层上，并通过所述第一通孔与所述电流扩展层相接触，所述P型金属导电层覆盖所述P型金属反射层并与所述第一绝缘层相接触； 所述P型金属导电层上设置有第二绝缘层，且所述第二绝缘层上设置有贯穿至所述N型导电台阶的第二通孔，所述第二绝缘层上设置有N型金属导电层，所述N型金属导电层通过所述第二通孔与所述外延层相接触； 所述外延层的另一侧设置有第三绝缘层，且所述第三绝缘层覆盖所述隔离槽，所述隔离槽的位置处形成有从所述第三绝缘层贯穿至所述P型金属导电层的第三通孔，所述第三通孔处设置有P型焊盘； 所述导电衬底通过键合层键合于所述N型金属导电层上； 其中，所述第一绝缘层包括依次堆叠设置的第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层；所述第一绝缘子层、第二绝缘子层和第三绝缘子层均为通入N2O和SiH4两种气体反应形成的SiO2薄膜。

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