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龙图腾网获悉深圳市志金电子有限公司申请的专利一种嵌入式多芯片互连桥及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510837161.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种嵌入式多芯片互连桥及其制备方法和应用是由康孝恒;屈刚设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式多芯片互连桥及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种嵌入式多芯片互连桥（EMIB）及其制备方法和应用，属于集成电路封装技术领域。本发明以ABF树脂材料为绝缘材料的基板，替代传统的以硅为绝缘材料的EMIB。以coreless为承载板，采用ABF材料逐层压合，用SAP工艺制作铜线路层，待拆分板对称拆分后，压合以满足板厚，再以线路中心切割，可以得到完全对称的两块以ABF为介质的嵌入式多管芯互连桥，其切面为矩阵型的焊盘，可以作为EMIB与芯片封装对接面。由于使用了ABF树脂，其介质材料与要嵌入到的IC封装基板一致，可以大大降低EMIB的应力不均与硅桥开裂风险。且采用ABF制作的EMIB，由于ABF的材料成本与加工成本远低于硅基材料，因此，具有很明显的成本优势。

本发明授权一种嵌入式多芯片互连桥及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式多芯片互连桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在承载板的两侧分别对称压合ABF材料，得到压合板；所述承载板为coreless板，所述coreless板的结构为3μm铜箔、18μm铜箔、中间介质层、18μm铜箔和3μm铜箔； 在所述压合板四角钻出定位孔，然后进行双面沉铜，得到铜种子层； 在所述铜种子层的两侧表面分别依次进行贴膜、曝光和显影，得到干膜图形板； 在所述干膜图形板的两侧表面进行图形电镀，形成电镀铜线路后分别依次进行褪膜、闪蚀和除钯，形成铜线路层，得到铜线路板； 对所述铜线路板的两侧表面依次进行超粗化、压合和打靶，得到待拆分板；所述压合为在所述超粗化后的表面压合ABF树脂； 对所述待拆分板依次进行对称拆分和整板蚀刻，得到拆分板；所述对称拆分后所得板材仅保留一层铜箔；所述对称拆分是从coreless板的两个3μm铜箔18μm铜箔之间拆分开来，得到3个结构：第一压合的芯板、中间的18μm铜箔中间介质层18μm铜箔以及第二压合的芯板，所述拆分板包括第一压合的芯板和第二压合的芯板，将所述中间的18μm铜箔中间介质层18μm铜箔舍弃，所述对称拆分得到两块所述拆分板，所述拆分板的垂直结构为ABF材料电镀铜线路3μm铜箔； 将所述拆分板的两侧表面分别压合ABF树脂后，依次进行打靶、对称成型和沉镍金，得到所述嵌入式多芯片互连桥，所述对称成型以铜线路层的线路中心切割，所述对称成型的线路切面为矩阵型的焊盘。

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