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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510772500.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;唐宇坤设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；所述阱区与所述第一区域的第一侧面相接，且所述阱区延伸至所述第一区域的第一底面并与所述第一底面相接；其中，所述第一底面与所述第一表面相对；隔离结构，位于所述第一表面且从所述第一表面延伸至所述第一区域内，所述隔离结构与所述第一侧面间隔设置。本发明能够在不增加外延生长时间的前提下提高半导体器件的击穿电压。在不增加外延生长时间的前提下提高半导体器件的击穿电压。

本发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括阱区和第一区域；所述第一区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面，所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一表面；所述阱区与所述第一区域的第一侧面相接，且所述阱区延伸至所述第一区域的第一底面并与所述第一底面相接；其中，所述第一底面与所述第一表面相对； 隔离结构，位于所述第一表面且从所述第一表面延伸至所述第一区域内，所述隔离结构与所述第一侧面间隔设置；所述隔离结构与所述第一侧面不接触； 栅极，位于所述第一表面； 源极，位于所述第一表面，且所述源极与所述第一表面接触的部分位于所述隔离结构远离所述第一侧面的一侧； 所述半导体本体还包括隔离槽，所述隔离结构位于所述隔离槽内；所述半导体本体还包括第二区域，所述第二区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面，所述第二区域包括与所述第一表面相对的第二底面，所述第二区域位于所述隔离槽远离所述第一侧面的一侧，且所述第一区域与所述第二底面相接，所述第一区域的离子浓度小于所述第二区域的离子浓度；所述隔离槽与所述第二区域间隔设置；所述隔离槽与所述第二区域不接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。