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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利RRAM的测试方法、装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120220787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510667251.3，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权RRAM的测试方法、装置及系统是由崔狮雨;时拓;程大军;周睿晰;陈美文设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本RRAM的测试方法、装置及系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种RRAM的测试方法、装置及系统。其中，该RRAM的测试方法，用于测试板；该测试板包含按照B行和W列排列的忆阻器阵列、以及FPGA。该方法包括：上位机显示RRAM的当前测试的参数设置界面；所述参数设置界面显示的待输入参数；接收针对所述待输入参数输入的参数数据以及用户输入的待测试忆阻器的地址，生成并发送上位机指令；所述待测试忆阻器为所述忆阻器阵列中的一个或者多个忆阻器；FPGA按照所述上位机和FPGA约定的寄存器协议，根据接收到所述上位机指令，产生所述待测试忆阻器的地址的驱动信号；将所述驱动信号给所述待测试忆阻器；接收所述待测试忆阻器的回流信号，进行当前测试。

本发明授权RRAM的测试方法、装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种RRAM的测试方法，其特征在于，用于包含按照B行和W列排列的忆阻器阵列、以及FPGA的测试板，所述FPGA的FPGA驱动包括PS端和PL端；PS端用于与上位机进行通信以及寄存器存储指令的功能；PL的各个模块通过读取RRAM中的数据，驱动对应的硬件模块；上位机通过固定通信协议与FPGA进行通信；所述固定通信协议包括TCP和或UDP，所述上位机的前端界面用vue开发，后端用go语言开发，所述上位机作为服务器端，所述方法包括： 上位机显示RRAM的当前测试的登录界面；接收用户针对登录界面输入的登录信息；验证登录信息通过，接收从多种忆阻器测试中选择的当前测试，显示RRAM的当前测试的参数设置界面；所述参数设置界面显示的待输入参数；所述参数设置界面按照B行和W列排列显示的用于控制待测试忆阻器的开关对应的图表，与所述忆阻器阵列中各忆阻器对应；将检测到用户在所述图表选择的第一位置，作为待测试忆阻器的框选区域的起始位置；将检测到用户沿所述选择的第一位置移动拉选到第二位置停止，作为所述框选区域的结束位置；将所框选的区域内的忆阻器的地址，作为待测试忆阻器的地址；在所述图表中框选待测试忆阻器的地址的同时，自动填充于所述参数设置界面内的忆阻器输入位置处，生成并发送上位机指令；所述待测试忆阻器为所述忆阻器阵列中的多个忆阻器； 所述FPGA按照所述上位机和FPGA约定的寄存器协议，根据接收到所述上位机指令，产生所述待测试忆阻器的地址的驱动信号；将所述驱动信号给所述待测试忆阻器；接收所述待测试忆阻器的回流信号，进行当前测试； 在接收到当前测试切换到下一测试的参数设置界面，作为本次测试的参数设置界面时，若检测到上一测试存在保存数据，则提取能够使用到本次测试的保存数据，自动填充于本次测试的参数设置界面内；其中，所述保存数据是指上一测试结束时保存的数据；所述使用到本次测试的保存数据包含待测试忆阻器的地址。

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