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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510620715.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法是由吴义针;汪连山;麻胜恒;孙文红;陈福鑫设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法，涉及半导体器件技术领域，外延结构包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN通道层以及AlGaN障碍层；蓝宝石衬底为外延结构的基础；蓝宝石衬底上具有纳米图案，纳米图案具体为多个图案单元按照阵列方式组成的图案阵列，每个图案单元上设置有纳米球；AlN缓冲层设置在蓝宝石衬底上；GaN通道层设置在AlN缓冲层上，用于电子传输；AlGaN障碍层设置在GaN通道层上，用于与GaN通道层共同形成二维电子气；本发明可以通过纳米图案引导晶体的生长方向和限制位错的传播，显著减少位错密度，减少晶格失配产生的缺陷，提升GaN外延质量，并提升器件的性能和可靠性。

本发明授权一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN通道层以及AlGaN障碍层； 所述蓝宝石衬底为外延结构的基础； 所述蓝宝石衬底上具有纳米图案，所述纳米图案具体为多个图案单元按照阵列方式组成的图案阵列，每个所述图案单元上设置有纳米球； 所述AlN缓冲层设置在所述蓝宝石衬底上； 所述GaN通道层设置在所述AlN缓冲层上； 所述AlGaN障碍层设置在所述GaN通道层上； 通过海鸥优化算法，优化确定所述纳米图案的图案参数； 所述通过海鸥优化算法，优化确定所述纳米图案的图案参数，具体包括： 初始化海鸥个体，每个海鸥个体代表一种可行的模型参数集合，每个海鸥个体由多个维度分量组成，每个分量代表一个模型参数； 在全局搜索阶段，避免碰撞并且向最优个体方向移动： ； ； ； 其中，表示第t次迭代时第i个海鸥个体经过全局搜索阶段后的位置，表示第t次迭代时第i个海鸥个体经过防碰撞处理后的位置，A表示控制因子，表示第t次迭代时第i个海鸥个体的位置，表示第t次迭代时第i个海鸥个体向最优个体移动的位移，B表示搜索平衡因子，表示第t次迭代时的最优个体位置； ； 其中，t表示当前迭代次数，T表示最大迭代次数，fc表示线性下降频率；； 其中，r1表示0到1之间的随机数； 在局部搜索阶段，生成一个随机数r2，根据随机数r2，在螺旋搜索策略与包围策略之间并行选择，以螺旋运动的方式进行位移： ； ； ； ； ； 其中，表示第t次迭代时第i个海鸥个体螺旋运动后的位置，x表示x方向螺旋飞行系数，y表示y方向螺旋飞行系数，z表示z方向螺旋飞行系数，r表示螺旋飞行轨迹半径，θ表示0至2π之间的随机数，u、v表示螺旋常数，e表示自然常数； 对各个海鸥个体执行变异操作： ； 其中，表示第t次迭代时第i个海鸥个体变异后的位置，Pr表示随机个体，ω表示自适应比例因子； 判断变异后的位置的适应度值是否大于变异前的位置的适应度值；若是，采用变异后的位置替换变异前的位置；否则，保持变异前的位置不变； 更新各个海鸥个体的适应度值以及全局最优个体； 判断当前迭代次数是否达到最大迭代次数；若是，输出当前适应度最高的海鸥个体代表的模型参数集合；否则，返回继续迭代。

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