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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种PHEMT器件外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510620688.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种PHEMT器件外延结构及其制备方法是由麻胜恒;汪连山;吴义针;孙文红;陈福鑫设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PHEMT器件外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PHEMT器件外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：依次叠层设置的InP衬底、GaAs缓冲层、InGaAs赝晶层、n掺杂AlGaAs势垒层和帽层；GaAs缓冲层和n掺杂AlGaAs势垒层分别在InGaAs赝晶层中形成有用于提供2DEG的第一导电通道和第二导电通道；InGaAs赝晶层的In组分含量为使得InGaAs赝晶层晶格应变力和值小于异质结的晶格失配应力；在InGaAs赝晶层的In组分含量的约束下，InGaAs赝晶层的厚度为使得第一导电通道和第二导电通道重叠的目标厚度，其中，目标厚度用于增强2DEG的浓度。提升器件质量和性能。

本发明授权一种PHEMT器件外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PHEMT器件外延结构，其特征在于，包括：InP衬底、GaAs缓冲层、InGaAs赝晶层、n掺杂AlGaAs势垒层和帽层； 所述InP衬底、所述GaAs缓冲层、所述InGaAs赝晶层、所述n掺杂AlGaAs势垒层和所述帽层依次叠层设置； 所述GaAs缓冲层和所述n掺杂AlGaAs势垒层分别在所述InGaAs赝晶层中形成有用于提供2DEG的第一导电通道和第二导电通道； 所述InGaAs赝晶层的In组分含量为使得InGaAs赝晶层晶格应变力和值小于异质结的晶格失配应力，其中，所述晶格应变力和值包括所述GaAs缓冲层与所述InGaAs赝晶层之间的第一晶格失配应力以及所述InGaAs赝晶层与所述n掺杂AlGaAs势垒层之间的第二晶格失配应力，所述异质结包括由所述GaAs缓冲层与所述InGaAs赝晶层形成的第一异质结以及由所述InGaAs赝晶层与所述n掺杂AlGaAs势垒层形成的第二异质结； 在所述InGaAs赝晶层的In组分含量的约束下，所述InGaAs赝晶层的厚度为使得所述第一导电通道和所述第二导电通道重叠的目标厚度，其中，所述目标厚度用于增强所述2DEG的浓度； 所述In组分含量的计算公式具体为： ； 其中，表示GaAs缓冲层与InGaAs赝晶层之间的晶格失配应变，表示InGaAs赝晶层与n掺杂AlGaAs势垒层之间的晶格失配应变，表示n掺杂AlGaAs的晶格常数，表示In组分含量x下的InGaAs赝晶层晶格常数，和分别表示InAs晶格常数和GaAs晶格常数，表示取绝对值，表示取使取最小值下的x值； 所述目标厚度的计算公式具体为： ； 其中，表示目标厚度，min表示取最小值，表示约化普朗克常数，表示与In组分含量x有关的InGaAs中的电子有效质量，表示自由电子静止质量，表示与x有关的有效势垒高度，表示与x有关的InGaAs赝晶层基态能级，表示与x有关的AlGaAsInGaAs导带偏移，表示与x有关的GaAsInGaAs导带偏移，表示在x下的不产生位错缺陷下的InGaAs赝晶层最大厚度，b表示伯格斯矢量，表示泊松比，π表示圆周率，表示与x有关的有效总应变，ln表示自然对数函数。

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