台湾积体电路制造股份有限公司吴颖茹获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利嵌入在钝化层中的金属绝缘层金属电容获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223334997U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422435017.1，技术领域涉及：H10N97/00；该实用新型嵌入在钝化层中的金属绝缘层金属电容是由吴颖茹;刘子霆;沈香谷;黄镇球;陈殿豪设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入在钝化层中的金属绝缘层金属电容在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种在互连线结构上方形成的钝化层。刻蚀开口至少部分穿过钝化层。第一导电层沉积在钝化层上方。第一导电层部分填充开口。绝缘层沉积在第一导电层上方。绝缘层部分填充开口。第二导电层沉积在绝缘层上方。第二导电层完全填充开口。形成电性耦合于第一导电层的第一导电结构。形成电性耦合于第二导电层的第二导电结构。
本实用新型嵌入在钝化层中的金属绝缘层金属电容在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 互连线结构； 第一钝化层，其配置在所述互连线结构上方； 凹陷，其配置所述第一钝化层内； 第一导电层，其配置在所述互连线结构上方以及部分地在所述凹陷内； 绝缘层，其配置在所述第一导电层上方以及部分地在所述凹陷内； 第二导电层，其配置在所述绝缘层上方，其中所述第二导电层完全地填充所述凹陷；以及 第二钝化层，其配置在所述第二导电层上方。
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