华中科技大学梁琳获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于SiC MOSFET的稳定性分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119310427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411393431.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于SiC MOSFET的稳定性分析方法及系统是由梁琳;杨凤鸣设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于SiC MOSFET的稳定性分析方法及系统在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件分析领域，具体公开了一种用于SiCMOSFET的稳定性分析方法及系统，方法包括：确定SiCMOSFET的寄生参数；结合寄生参数，获取SiCMOSFET开关瞬态中两个反馈环路的反馈传递函数；所述两个反馈环路包括：电感反馈环路和电容反馈环路；将两个反馈环路的反馈传递函数分别在复频域展开，确定分别由两个反馈环路引入的栅源电压变化；栅源电压变化包括：幅值增益变化和相位变化；当栅源电压变化的总和未超出预设阈值时，SiCMOSFET处于稳定状态，否则SiCMOSFET处于不稳定状态。通过本申请，提供一种简洁明晰的SiCMOSFET开关稳定性的分析方法，为最大化提升SiCMOSFET性能提供技术指导。
本发明授权一种用于SiC MOSFET的稳定性分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅金属氧化物半导体场效应管SiCMOSFET的稳定性分析方法，其特征在于，包括： 确定SiCMOSFET的寄生参数； 结合所述寄生参数，获取SiCMOSFET开关瞬态中两个反馈环路的反馈传递函数；所述两个反馈环路包括：电感反馈环路和电容反馈环路； 将两个反馈环路的反馈传递函数分别在复频域展开，确定分别由两个反馈环路引入的栅源极电压变化；所述栅源极电压变化包括：幅值增益变化和相位变化； 当所述栅源极电压变化的总和未超出预设阈值时，所述SiCMOSFET处于稳定状态，否则所述SiCMOSFET处于不稳定状态。
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