昆明理工大学童仲秋获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119036992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411152189.6，技术领域涉及：B32B37/10；该发明授权一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜及制备方法是由童仲秋;马文会;李绍元;李振宇;徐洪波;向旨政设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及航天器热控技术领域，具体涉及一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜及制备方法，本发明采用原子沉积技术将氧化硅包覆于自支撑阳极氧化铝纳米管阵列薄膜的表面，进而在该氧化硅阳极氧化铝薄膜的一侧粘结表面沉积有纳米银层的铝箔，形成热控薄膜。阳极氧化铝纳米管阵列使得氧化硅沉积包覆层具有高比表面积的红外发射点，从而使得热控薄膜在表现出高红外发射率；金属铝薄膜使得热控薄膜具有高太阳光谱反射率；纳米管阵列结构通过电磁波局域共振机制而进一步增强薄膜的红外辐射特性。制备的热控薄膜在太阳光谱反射率为0.86，在大气窗口的红外发射率为0.96，从而使得可热控薄膜表现出良好的制冷效率。
本发明授权一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低太阳光吸收率、高红外发射率航天热控薄膜，其特征在于，从向阳面往内侧依次包括：氧化硅阳极氧化铝层、纳米厚度银层、微米级厚度铝层；其中氧化硅阳极氧化铝层是由氧化硅包覆层和阳极氧化纳米管阵列层构成； 在具有周期性结构的自支撑阳极氧化铝纳米管阵列薄膜表面沉积包覆氧化硅层后，于该复合薄膜的一侧热压结合纳米厚度银层微米级厚度铝层叠层薄膜，制成低太阳光吸收率、高红外发射率的热控薄膜；该薄膜使用时，未粘结微米级厚度铝层一侧作为向阳面。
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