长鑫科技集团股份有限公司肖德元获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119012712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411075352.3，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备是由肖德元;孟皓设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备。该三维半导体器件包括具有阵列区域和接触区域的衬底，交替布置的第一导电层和隔离层的堆叠层，第二导电层，第一可相变层，第二可相变层，以及第一接触插塞。堆叠层位于衬底上，且从阵列区域延伸至接触区域并在接触区域具有台阶。第二导电层位于阵列区域且贯穿堆叠层。第一可相变层位于阵列区域且位于第一导电层和第二导电层之间，第二导电层贯穿第一可相变层，第一导电层环绕第一可相变层。第二可相变层位于接触区域且连接第一导电层。第一接触插塞位于接触区域并连接第二可相变层。本公开实施例提供了一种基于相变存储元件和选择器的存储单元的三维非易失性动态存取存储器，改善器件性能。
本发明授权一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括阵列区域和所述阵列区域邻接的接触区域； 堆叠层，位于所述衬底上，且从所述阵列区域延伸至所述接触区域，并在所述接触区域具有台阶，所述堆叠层包括交替布置的第一导电层和隔离层； 第二导电层，位于所述阵列区域，且贯穿所述堆叠层； 第一可相变层，位于所述阵列区域，所述第一可相变层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第二导电层贯穿所述第一可相变层，所述第一导电层环绕所述第一可相变层； 第二可相变层，位于所述接触区域，且连接所述第一导电层； 第一接触插塞，位于所述接触区域，并连接所述第二可相变层; 所述第二可相变层、第一导电层、第一接触插塞形成选择器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励