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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种耦合分压的纵向场板器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410348505.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种耦合分压的纵向场板器件及制造方法是由章文通;吴奇益;李洪博;蔡诗瑶;乔明;李肇基;张波设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耦合分压的纵向场板器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种耦合分压的纵向场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型重掺杂半导体接触区、第二导电类型阱区、第二导电类型重掺杂半导体接触区；场氧化层、栅极金属；多晶硅电极；通过第二层金属形成电容耦合结构，在器件内部引入可调节的内部电势，提出了一种耦合分压的纵向场板器件，解决了普通纵向场板电势难以调整的问题，优化器件漂移区的内部电场分布，提高了器件的耐压能力和工作稳定性。

本发明授权一种耦合分压的纵向场板器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种耦合分压的纵向场板器件，其特征在于包括： 位于第一导电类型半导体衬底11上方的第二导电类型阱区21，第一导电类型阱区12位于第二导电类型阱区21左侧，第一导电类型重掺杂半导体接触区13和第二导电类型重掺杂半导体接触区23位于第一导电类型阱区12中；源极第一层金属51位于第一导电类型重掺杂半导体接触区13和第二导电类型重掺杂半导体接触区23的上表面；第二导电类型阱区22位于第二导电类型阱区21中，且第二导电类型阱区22内部包围第二导电类型重掺杂半导体接触区23，漏极第一层金属54位于第二导电类型重掺杂半导体接触区23的上表面；第二介质氧化层32位于第一导电类型阱区12的上方，并且左端与第二导电类型重掺杂半导体接触区23相接触，右端与第二导电类型阱区21相接触；控制栅多晶硅电极42覆盖在第二介质氧化层32的上表面；第三介质氧化层33位于第二导电类型阱区21的上方，且左端与第二介质氧化层32接触，右端与第二导电类型重掺杂半导体接触区23接触；第一介质氧化层31和多晶硅电极41构成纵向场板，且第一介质氧化层31包围多晶硅电极41，纵向场板位于第二导电类型阱区21中，且通过通孔与纵向场板第一层金属53相连；源极第二层金属61通过通孔与源极第一层金属51相连，源极第二层金属61位于源极第一层金属51上方并在z方向延伸，且向x方向延伸至部分第二导电类型阱区21上方，漏极第二层金属63通过通孔与漏极第一层金属54相连，漏极第二层金属63位于漏极第一层金属54上方且在z方向延伸，且向x方向延伸至部分第二导电类型阱区21上方，xy平面上纵向场板第二层金属62位于源极第二层金属61和漏极第二层金属63所围区域内部，纵向场板第二层金属62在z轴方向与源极第二层金属61和漏极第二层金属63保持等间距分布，形成电容耦合结构；其中，从源极第一导电类型重掺杂半导体接触区13指向漏极第二导电类型重掺杂半导体接触区23的方向定义为x轴方向，从源极第一导电类型重掺杂半导体接触区13指向第一导电类型半导体衬底11的方向定义为y轴方向，垂直于xy平面且指向平面里的方向定义为z轴方向。

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