中山智隆新材料科技有限公司钟威平获国家专利权
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龙图腾网获悉中山智隆新材料科技有限公司申请的专利一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117865651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410049060.6,技术领域涉及:C04B35/01;该发明授权一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法是由钟威平;葛春桥;李强设计研发完成,并于2024-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及溅射靶材技术领域,具体公开了一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法。一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材,包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂;所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料:氧化铟86‑89.6份,氧化锌9.5‑12.8份,氧化锆0.5‑1.2份,氧化铊0.1‑0.4份,所述多元氧化物粉末的比表面积为8m2g‑20m2g,松装密度为0.91gcm3‑1.55gcm3。本申请的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材,通过锆、铊元素添加到多元氧化物粉末中,利用氧化铊低熔点形成液相反应,与氧化锆形成低熔共晶物,和氧化铟、氧化锌复配,能够减少靶材气孔率、降低靶材电阻率,进而提高溅射薄膜的电学和光学稳定性。
本发明授权一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材,其特征在于,包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂;所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料:氧化铟86-89.6份,氧化锌9.5-12.8份,氧化锆0.5-1.2份,氧化铊0.1-0.4份,所述多元氧化物粉末的比表面积为8m2g-20m2g,松装密度为0.91gcm3-1.55gcm3。
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