河北光兴半导体技术有限公司;北京盛达众安科技有限公司李青获国家专利权
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龙图腾网获悉河北光兴半导体技术有限公司;北京盛达众安科技有限公司申请的专利用于制备低介电常数玻璃的组合物、低介电常数玻璃及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117567026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311364149.3，技术领域涉及：C03C4/00；该发明授权用于制备低介电常数玻璃的组合物、低介电常数玻璃及其制备方法和应用是由李青;李赫然;张盼;姚荣江;胡恒广;闫冬成;张广涛;刘文渊;刘丹设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备低介电常数玻璃的组合物、低介电常数玻璃及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于制备低介电常数玻璃的组合物、低介电常数玻璃及其制备方法和应用，涉及低介电常数玻璃技术领域。该组合物包括SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、BaO、Li2O、Na2O、Ag2O、Ce2O3和澄清剂，澄清剂包括硫酸盐、氟化物、硝酸盐、卤化物、氧化锡和氧化亚锡中的至少一种。本申请通过对上述组合物的配比经过精确控制，来降低玻璃的介电常数，从而降低信号的衰减，提高传输的质量和距离。同时，增加玻璃的硬度和杨氏模量，提高玻璃的强度和耐磨性。
本发明授权用于制备低介电常数玻璃的组合物、低介电常数玻璃及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于制备低介电常数玻璃的组合物，其特征在于，包括以下重量百分比组分： 61～68％的SiO2、1～10％的Al2O3、15～28％的B2O3、0.5～5％的MgO、0.5～5％的CaO、0.01～5％的BaO、0.01～3％的Li2O、0.05～3％的Na2O、0.01～0.2％的Ag2O、0.05～0.5的Ce2O3、0.01～0.5％的澄清剂，所述澄清剂包括硫酸盐、氟化物、硝酸盐、卤化物、氧化锡和氧化亚锡中的至少一种； 其中，所述Ag2O和所述Ce2O3用于在激光切割过程中诱导晶相形成以抑制微裂纹扩展，且满足以下比例关系： 定义K1＝Ag2O的质量百分含量BaO的质量百分含量，且K1为0.01-0.6； 定义K2＝Ag2O的质量百分含量Ce2O3的质量百分含量，且K2为0.01-0.6； 定义K3＝Ag2O的质量百分含量Li2O的质量百分含量，且K3为0.01-0.6。
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