北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司申请的专利全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055837.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法是由陈燕宁;王凯;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波;梁英宗;郁文;刘倩倩设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，提供一种全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法。全隔离横向双扩散半导体器件包括半导体衬底、源极体区、漏极漂移区、源极、漏极以及栅极，还包括：第一类型的第一埋层、第二类型埋层以及场氧隔离组合结构；场氧隔离组合结构包括浅沟槽隔离结构和两个分别覆盖浅沟槽隔离结构两侧壁角的LOCOS鸟嘴结构；漏极漂移区与第一类型的第一埋层在纵向上连接，位于漏极漂移区两侧的源极体区与第一类型的第一埋层在纵向上连接形成第一隔离环结构。本发明采用LOCOS与STI相结合的场氧隔离组合结构，提升器件的击穿电压；通过第一隔离环结构对漏极漂移区进行全隔离，形成横向导通路径和纵向导通路径，降低导通电阻，提升可靠性。
本发明授权全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种全隔离横向双扩散半导体器件，包括半导体衬底、源极体区、漏极漂移区、源极、漏极以及栅极，其特征在于，还包括：第一类型的第一埋层、第二类型埋层以及场氧隔离组合结构； 场氧隔离组合结构包括浅沟槽隔离结构和两个分别覆盖浅沟槽隔离结构两侧壁角的LOCOS鸟嘴结构，两个LOCOS鸟嘴结构相互独立，两个LOCOS鸟嘴结构覆盖在所述浅沟槽隔离结构两侧壁角的尖角处，利用LOCOS鸟嘴结构的光滑性弥补所述浅沟槽隔离结构的两侧尖角处的过大的电荷密度； 漏极漂移区与第一类型的第一埋层在纵向上连接，位于漏极漂移区两侧的源极体区与第一类型的第一埋层在纵向上连接形成第一隔离环结构，第一隔离环结构用于对漏极漂移区进行全隔离，使得场氧隔离组合结构与漏极漂移区之间形成横向导通路径和纵向导通路径，以减少场氧隔离组合结构与漏极漂移区之间的导通电阻。
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