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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211480044.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构是由刘倩倩;宋永梁设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体测试结构。半导体测试结构包括：依次首尾连接为环形闭路的第一测试线路、第二测试线路、第三测试线路及第四测试线路；多个二极管，分别连接于相邻测试线路之间；第一测试阵列和第二测试阵列，第一测试阵列和第二测试阵列均包括多个沿第一方向间隔排布的测试单元；测试单元均包括多层间隔排布的金属层、介电层和导电插塞。本申请的半导体测试结构，通过设置第一测试阵列、第二测试阵列，并增设二极管，可以同时探测相邻两根平行金属层对应的导电插塞之间介电层的可靠性问题以及位于金属层末端的导电插塞与第二方向上相邻的金属层之间的介电层的可靠性。

本发明授权半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 依次首尾连接为环形闭路的第一测试线路、第二测试线路、第三测试线路及第四测试线路； 多个二极管，分别连接于相邻所述测试线路之间； 第一测试阵列和第二测试阵列，所述第一测试阵列和所述第二测试阵列均包括多个沿第一方向间隔排布的测试单元；所述测试单元均包括多层间隔排布的金属层、介电层和导电插塞结构，所述介电层位于相邻所述金属层之间，所述导电插塞结构包括由下至上叠层的多个导电插塞，位于介电层内，且将相邻所述金属层电连接；所述第一测试阵列中，位于奇数列的所述测试单元与所述第二测试线路相连接，位于偶数列的所述测试单元与所述第三测试线路相连接；所述第二测试阵列中，位于奇数列的所述测试单元与所述第四测试线路相连接，位于偶数列的所述测试单元与所述第一测试线路相连接；所述第一测试阵列与所述第二测试阵列沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交； 多个所述二极管包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管； 所述第一测试线路包括第一测试焊盘和第二测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘相连接；所述第二测试阵列中，位于偶数列的所述测试单元连接于所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间； 所述第二测试线路包括第三测试焊盘和第四测试焊盘，所述第三测试焊盘与所述第四测试焊盘相连接；所述第一二极管的正极与所述第一测试焊盘相连接，所述第一二极管的负极与所述第三测试焊盘相连接；所述第一测试阵列中，位于奇数列的所述测试单元连接于所述第三测试焊盘与所述第四测试焊盘之间； 所述第三测试线路包括第五测试焊盘和第六测试焊盘，所述第五测试焊盘与所述第六测试焊盘相连接；所述第三二极管的正极与所述第六测试焊盘相连接，所述第三二极管的负极与所述第四测试焊盘相连接；所述第一测试阵列中，位于偶数列的所述测试单元连接于所述第五测试焊盘与所述第六测试焊盘之间； 所述第四测试线路包括第七测试焊盘和第八测试焊盘，所述第七测试焊盘与所述第八测试焊盘相连接；所述第二二极管的正极与所述第七测试焊盘相连接，所述第二二极管的负极与所述第五测试焊盘相连接；所述第四二极管的正极与所述第八测试焊盘相连接，所述第四二极管的负极与所述第二测试焊盘相连接；所述第二测试阵列中，位于奇数列的所述测试单元连接于所述第七测试焊盘与所述第八测试焊盘之间； 所述第一测试阵列中的所述测试单元的数量与所述第二测试阵列中的所述测试单元的数量相同，且一一对应设置。

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