长鑫存储技术有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210675592.1，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄猛设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：该发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；第一晶体管，所述第一晶体管位于所述衬底上，所述第一晶体管具有第一漏极部和第一源极部；共源极结构，所述共源极结构位于所述第一晶体管上方；第二晶体管，所述第二晶体管位于所述共源极结构上方，所述第二晶体管具有第二漏极部和第二源极部，所述共源极结构分别与所述第一漏极部和所述第二漏极部电性连接。根据本发明实施例的半导体结构，第一晶体管和第二晶体管均与共源极结构连接，共源极结构形成为第一晶体管和第二晶体管的共同输出端，结构简单且体积和面积小。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一晶体管，所述第一晶体管位于所述衬底上，所述第一晶体管具有第一漏极部和第一源极部； 共源极结构，所述共源极结构位于所述第一晶体管上方； 第二晶体管，所述第二晶体管位于所述共源极结构上方，所述第二晶体管具有第二漏极部和第二源极部，所述共源极结构分别与所述第一漏极部和所述第二漏极部连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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