京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司曹雪获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利无源滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111884.2，技术领域涉及：H10D86/85；该发明授权无源滤波器及其制备方法是由曹雪;肖月磊;李月;车春城;吴艺凡;安齐昌;常文博;周毅;冯昱霖;韩基挏设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本无源滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种无源滤波器及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感。介质基板包括沿介质基板厚度方向设置的开槽，开槽的内壁包括第一部分，第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与介质基板所在平面的延伸方向相交。电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板，电容的第一极板、电容的第二极板以及第一层间介质层在介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖第一部分。
本发明授权无源滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无源滤波器，其特征在于，包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；所述介质基板包括沿其厚度方向贯穿的第一连接过孔以及沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面； 所述介质基板还包括：沿所述介质基板厚度方向设置的开槽；所述开槽为盲槽，且所述开槽的内壁包括第一部分，所述第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与所述介质基板所在平面的延伸方向相交； 所述电容包括：背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；所述电容的第一极板、所述电容的第二极板以及所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖所述第一部分； 所述电感与所述电容电连接，所述电感包括：设置在所述介质基板的所述第一表面上的第一子结构，设置在所述介质基板的所述第二表面上的第二子结构，以及设置在所述第一连接过孔内的第一连接电极；所述第一连接电极将所述第一子结构和所述第二子结构连接； 且，所述电容的第一层间介质层在所述介质基板上的正投影，覆盖所述第一子结构和所述电容的第一极板在所述介质基板上的正投影。
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