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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利无源滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210112631.7，技术领域涉及：H10D86/85；该发明授权无源滤波器及其制备方法是由李月;安齐昌;肖月磊;吴艺凡;曹雪;韩基挏;周毅;常文博;冯昱霖;曲峰设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本无源滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种无源滤波器及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；电容包括背离介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；其中，第一层间介质材料的介电常数随着第一极板和第二极板之间的静电场变化而变化。

本发明授权无源滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无源滤波器，其特征在于，包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；所述电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；其中，所述第一层间介质材料的介电常数随着所述第一极板和所述第二极板之间的静电场变化而变化； 所述介质基板还包括沿其厚度方向的第一连接过孔以及沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面； 所述电感包括设置在所述介质基板的所述第一表面上的第一子结构，设置在所述介质基板的所述第二表面上的第二子结构，以及设置在所述第一连接过孔内的第一连接电极，且所述第一连接电极将所述第一子结构和所述第二子结构连接，形成所述电感的线圈结构；所述第二子结构和所述电容的所述第一极板电连接； 所述无源滤波器还包括背离所述第一层间介质层设置的第二层间介质层；所述第二子结构包括背离所述介质基板一侧依次设置的第一导电膜层和第二导电膜层；所述第一导电膜层和所述电容的所述第一极板电连接；所述第二导电膜层通过贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层上的第二连接过孔和第三连接过孔和所述第一导电膜层电连接； 所述无源滤波器还包括与所述第二导电膜层同层设置的第二连接电极和第三连接电极；所述第二连接电极通过贯穿所述第二层间介质层上的第四连接过孔和所述电容的所述第二极板电连接；所述第三连接电极通过贯穿所述第二层间介质层和第三层间介质层的第五连接过孔和所述电容的所述第一极板电连接； 所述无源滤波器还包括背离所述第二导电膜层一侧设置的第三层间介质层，以及背离所述第一子结构一侧设置的第四层间介质层。

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