西安电子科技大学袁昊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109338.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法是由袁昊;周瑜;汤晓燕;宋庆文;张玉明设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用横向变掺杂基区，可以提高P+P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。
本发明授权基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件，其特征在于，包括： p+外延层（1）、P-基区（2）、N+衬底（3）、钝化层（4）、背部电极（5）以及正面电极（6）； 所述P-基区（2）位于所述N+衬底（3）之上，所述P-基区（2）的掺杂浓度由内而外呈规律变化，以使位于斜面处的P-基区浓度高于P-基区内部浓度；靠近N+衬底（3）一侧低于靠近p+外延层（1）一侧；所述p+外延层（1）位于所述P-基区（2）之上，所述正面电极（6）位于所述p+外延层（1）之上；所述p+外延层（1）、P-基区（2）以及N+衬底（3）呈梯形台阶结构；所述钝化层（4）自上而下包裹所述p+外延层（1）、P-基区（2）以及N+衬底（3）呈梯形台阶结构外围，且露出所述梯形台阶结构上表面的正面电极（6）；所述N+衬底（3）外侧设置有台阶面，所述台阶面使N+衬底（3）上部分呈梯形，下部分呈矩形；所述背部电极（5）位于所述矩形下表面，所述钝化层（4）包裹N+衬底（3）上部分以及台阶面。
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