华为数字能源技术有限公司勾鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210082284.8，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件是由勾鹏;钟灿;唐逢杰;左希然;潘铭;袁柳;张天翼;金桂东;陈妍君设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件。该制造方法包括：在衬底的第一区域进行第一离子注入形成埋层；在衬底的第二区域进行第二离子注入形成预参杂，第二区域围绕第一区域的外周设置，预参杂中的离子的热扩散能力大于埋层中的离子的热扩散能力；在衬底的设置有埋层和预参杂的一侧形成外延层；对应第二区域在外延层上进行第三离子注入形成深阱；进行热退火处理，使埋层、预参杂和深阱中的离子进行热扩散，而使埋层、预参杂和深阱依次连接，埋层、预参杂和深阱包围的内部区域为器件区域。本申请实施例可将厚外延层下的深埋层引出，实现有效隔离高压器件和低压器件，且能兼容现有工艺，有利于降低加工成本和缩短制造周期。
本发明授权一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种器件隔离结构的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底1的第一区域进行第一离子注入以形成埋层11； 在所述衬底1的第二区域进行第二离子注入以形成预参杂12，所述第二区域围绕所述第一区域的外周设置，所述预参杂12中的离子的热扩散能力大于所述埋层11中的离子的热扩散能力； 在所述衬底1的设置有所述埋层11和所述预参杂12的一侧形成外延层2； 对应所述第二区域在所述外延层2上进行第三离子注入以形成深阱21； 进行热退火处理，使所述埋层11、所述预参杂12和所述深阱21中的离子进行热扩散，而使所述埋层11、所述预参杂12和所述深阱21依次连接，所述埋层11、所述预参杂12和所述深阱21包围的内部区域为器件区域；其中，所述埋层11、所述预参杂12和所述深阱21的导电类型相同。
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