上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司孙德明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利CMOS图像传感器及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111657644.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器及制造方法是由孙德明设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS图像传感器及制造方法，所述CMOS图像传感器包括：衬底，衬底具有P型外延层；形成于P型外延层中的光电二极管；形成于P型外延层中的第一P型接触区、形成于第一P型接触区下方的P型外延层中的第一P型掺杂区以及形成于第一P型接触区上方的第一金属焊盘，通过第一P型掺杂区与P型外延层在第一金属焊盘与光电二极管之间形成电子势阱。本发明中，利用第一P型掺杂区作为第一P型接触区与光电二极管之间的电子势垒，以防止第一金属焊盘通过第一P型接触区向光电二极管发射电子形成暗电流，并利用第一P型接触区与第一P型掺杂区之间的P型外延层作为电子势阱容纳该些电子，从而降低CMOS图像传感器的暗电流。
本发明授权CMOS图像传感器及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有P型外延层； 形成于所述P型外延层中的光电二极管； 形成于所述P型外延层中的第一P型接触区、浅沟槽隔离结构、形成于所述第一P型接触区下方的P型外延层中的第一P型掺杂区以及形成于所述第一P型接触区上方的第一金属焊盘，所述第一P型接触区位于所述光电二极管的一侧，两个所述浅沟槽隔离结构设于所述第一P型接触区及所述第一P型掺杂区的两侧，通过所述浅沟槽隔离结构、所述第一P型掺杂区与所述P型外延层在所述第一金属焊盘与所述光电二极管之间形成电子势阱，所述第一P型掺杂区的掺杂浓度为6×1017cm3～5×1018cm3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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